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BD158STU PDF预览

BD158STU

更新时间： 2024-02-24 03:24:36
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 37K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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BD158STU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.46
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：50 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BD158STU 数据手册

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BD157/158/159  
Low Power Fast Switching Output Stages  
•
For T.V Radio Audio Output Amplifiers  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: BD157  
: BD158  
: BD159  
275  
325  
375  
V
V
V
CBO  
: BD157  
: BD158  
: BD159  
250  
300  
350  
V
V
V
CEO  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
0.5  
V
A
EBO  
I
I
I
C
1.0  
A
CP  
B
0.25  
20  
A
P
T
T
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
50  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
BV  
*Collector-Emitter Breakdown Voltage  
CEO  
: BD157  
: BD158  
: BD159  
I
= 1mA, I = 0  
250  
300  
350  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: BD157  
CBO  
V
V
V
= 275V, I = 0  
100  
100  
100  
µA  
µA  
µA  
CB  
CB  
CB  
E
: BD158  
: BD159  
= 325V, I = 0  
E
= 375V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 0  
100  
240  
µA  
EBO  
EB  
CE  
C
h
= 10V, I = 50mA  
30  
FE  
C
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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BD158STU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD158 FAIRCHILD

完全替代

 Low Power Fast Switching Output Stages
KSE340STU FAIRCHILD

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast
MJE340STU FAIRCHILD

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast

与BD158STU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD159 MOTOROLA

获取价格

 		Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor
BD159 ISC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistor
BD159 ONSEMI

获取价格

 		POWER TRANSISTOR NPN SILICON
BD159 FAIRCHILD

获取价格

 		Low Power Fast Switching Output Stages
BD159/D ETC

获取价格

 		Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor
BD159_06 ONSEMI

获取价格

 		Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor
BD159G ONSEMI

获取价格

 		Plastic Medium-PowerSilicon NPN Transistor
BD159STU FAIRCHILD

获取价格

 		For T.V Radio Audio Output Amplifiers
BD159STU ONSEMI

获取价格

 		0.5 A, 350 V NPN Bipolar Power Transistor
BD15BC0FP ROHM

获取价格

 		Fixed Positive LDO Regulator, 1.5V, PSSO3, ROHS COMPLIANT, TO-252, 3 PIN

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