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BD159 PDF预览

BD159

更新时间： 2024-01-27 18:10:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 78K
描述
POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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BD159 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.24最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：50 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BD159 数据手册

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by BD159/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for power output stages for television, radio, phonograph and other  
consumer product applications.  
0.5 AMPERE  
POWER TRANSISTOR  
NPN SILICON  
350 VOLTS  
•
•
Suitable for Transformerless, Line–Operated Equipment  
Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Rating for High  
Reliability  
20 WATTS  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Max  
350  
375  
5.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CB  
EB  
V
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
0.5  
1.0  
Base Current  
I
B
0.25  
Adc  
Total Device Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
20  
0.16  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
CASE 77–09  
TO–225AA TYPE  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
6.25  
C/W  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
BV  
350  
—
—
Vdc  
µAdc  
µAdc  
CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
(At rated voltage)  
I
100  
100  
CBO  
Emitter Cutoff Current  
I
—
EBO  
(V  
EB  
= 5.0 Vdc, I = 0)  
C
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 50 mAdc, V  
C
h
FE  
30  
240  
—
= 10 Vdc)  
CE  
Motorola, Inc. 1998
1234

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BD159 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD159STU ONSEMI

类似代替

 0.5 A, 350 V NPN Bipolar Power Transistor
BD159G ONSEMI

类似代替

 Plastic Medium-PowerSilicon NPN Transistor

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD159/D ETC

获取价格

 		Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor
BD159_06 ONSEMI

获取价格

 		Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor
BD159G ONSEMI

获取价格

 		Plastic Medium-PowerSilicon NPN Transistor
BD159STU FAIRCHILD

获取价格

 		For T.V Radio Audio Output Amplifiers
BD159STU ONSEMI

获取价格

 		0.5 A, 350 V NPN Bipolar Power Transistor
BD15BC0FP ROHM

获取价格

 		Fixed Positive LDO Regulator, 1.5V, PSSO3, ROHS COMPLIANT, TO-252, 3 PIN
BD15BC0FPE2 ROHM

获取价格

 		Fixed Positive LDO Regulator, 1.5V, PSSO3, ROHS COMPLIANT, TO-252, 3 PIN
BD15BC0T ROHM

获取价格

 		Fixed Positive LDO Regulator, 1.5V, PSFM3, ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN
BD15BC0WFP ROHM

获取价格

 		Fixed Positive LDO Regulator, 1.5V, PSSO5, ROHS COMPLIANT, TO-252, 5 PIN
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 		Fixed Positive LDO Regulator, 1.5V, PSSO5, ROHS COMPLIANT, TO-252, 5 PIN

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