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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD157STU
BD157STU PDF预览

BD157STU

更新时间： 2024-01-31 04:05:50
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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BD157STU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：250 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：50 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BD157STU 数据手册

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BD157/158/159  
Low Power Fast Switching Output Stages  
•
For T.V Radio Audio Output Amplifiers  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: BD157  
: BD158  
: BD159  
275  
325  
375  
V
V
V
CBO  
: BD157  
: BD158  
: BD159  
250  
300  
350  
V
V
V
CEO  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
0.5  
V
A
EBO  
I
I
I
C
1.0  
A
CP  
B
0.25  
20  
A
P
T
T
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
50  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
BV  
*Collector-Emitter Breakdown Voltage  
CEO  
: BD157  
: BD158  
: BD159  
I
= 1mA, I = 0  
250  
300  
350  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: BD157  
CBO  
V
V
V
= 275V, I = 0  
100  
100  
100  
µA  
µA  
µA  
CB  
CB  
CB  
E
: BD158  
: BD159  
= 325V, I = 0  
E
= 375V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 0  
100  
240  
µA  
EBO  
EB  
CE  
C
h
= 10V, I = 50mA  
30  
FE  
C
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD158 ISC

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BD158 FAIRCHILD

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