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BD142

更新时间： 2024-02-14 17:35:26

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COMSET		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	76K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR POWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONS

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BD142 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	12
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	100 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	117 W
最大功率耗散 (Abs)：	117 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	0.8 MHz
VCEsat-Max：	1.1 V

BD142 数据手册

BD142

NPN SILICON TRANSISTOR

POWER LINERAR AND SWITCHING

APPLICATIONS

LF Large Signal Power Amplification

Low Saturation Voltage

High Dissipation Rating

Intended for a wide variety of intermediate-power applications.

It is especially suited for use in audio and inverter circuits at 12 volts.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Collector Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

V_CEX

I_C

V_BE=-1.5 V

Base Current

I_B

Power Dissipation

@ T_C= 25°

P_T

T_J

117

Watts

Junction Temperature

-65 to +200

°C

Storage Temperature

T_S

COMSET SEMICONDUCTORS

1/3

12 3

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