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BC847QAPN

更新时间： 2024-11-29 11:13:59

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安世 - NEXPERIA		/
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13页	255K
描述
45 V, 100 mA NPN/PNP general-purpose transistorProduction

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BC847QAPN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.55
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN AND PNP
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC847QAPN 数据手册

BC847QAPN

45 V, 100 mA NPN/PNP general-purpose transistor

30 October 2018

Product data sheet

1. General description

NPN/PNP general-purpose transistor in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-

Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Reduces component count

•

Reduces pick and place costs

AEC-Q101 qualified

Low package height of 0.37 mm

3. Applications

•

General-purpose switching and amplification

Mobile applications

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor; for the PNP transistor with negative polarity

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_C

collector current

DC current gain

100

450

h_FE

V_CE= 5 V; I_C= 2 mA; T_amb= 25 °C

200

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC847QAPNZ	NXP	获取价格	BC847QAPN - 45 V, 100 mA NPN/PNP general-purpose transistor DFN 6-Pin
BC847QAS	NEXPERIA	获取价格	45 V, 200 mA NPN/NPN general-purpose transistorProduction
BC847QAS	NXP	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC847QASZ	ETC	获取价格	TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6
BC847R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC847RA	NEXPERIA	获取价格	45 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose double transistorsProduction
BC847RAPN	NEXPERIA	获取价格	45 V, 100 mA NPN/PNP general-purpose double transistorsProduction
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