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BC847S

更新时间： 2024-11-01 12:36:47
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Multi-Chip TRANSISTOR (NPN)

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RoHS  
BC847S  
Multi-Chip TRANSISTOR (NPN)  
FEATURES  
SOT-363  
Power dissipation  
PCM  
: 300  
: 200  
mW (Tamb=25℃)  
Collector current  
ICM  
mA  
Collector-base voltage  
V(BR)CBO : 50  
V
Operating and storage junction temperature range  
TJ,Tstg: -55℃to +150℃  
MARKING: 1C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃  
unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Test conditions  
Ic=10µA,IE=0  
MIN  
50  
45  
6
TYP  
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V
Ic=10mA,IB=0  
IE=10µA,IC=0  
V
nA  
VCB=30V,IE=0  
15  
DC current gain  
hFE(1)  
V
CE=5V,IC=2mA  
110  
630  
0.25  
0.65  
0.7  
VCE(sat)(1)  
VCE(sat)(2)  
VBE(1)  
V
V
IC=10mA,IB=0.5mA  
IC=100mA,IB=5mA  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
V
0.58  
V
V
V
V
CE=5V,IC=2mA  
VBE(2)  
V
CE=5V,IC=10mA  
0.77  
Transition frequency  
MHz  
pF  
fT  
CE=5V,IC=20mA ,f=100MHz  
CB=10V,IE=0,f=1MHz  
200  
2
Collector output capacitance  
Cob  
WEJ ELECTRONIC CO.,LTD  
Http:// www.wej.cn  
E-mail:wej@yongerjia.com  
WEJ ELECTRONIC CO.,LTD  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC847S62Z FAIRCHILD

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