BC847TC

更新时间： 2024-11-26 13:05:55

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	279K
描述
100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BC847TC 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.53
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	4.5 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	75
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
VCEsat-Max：	0.6 V	Base Number Matches：	1

BC847TC 数据手册

SPICE MODEL: BC846A BC846B BC847A BC847B BC847C

BC848A BC848B BC848C

BC846A - BC848C

NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Features

•

Ideally Suited for Automatic Insertion

SOT-23

Complementary PNP Types Available (BC856-BC858)

For Switching and AF Amplifier Applications

Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)

Dim

Min

0.37

1.20

2.30

0.89

0.45

1.78

2.80

0.013

0.903

0.45

0.085

0°

Max

0.51

1.40

2.50

1.03

0.60

2.05

3.00

0.10

1.10

0.61

0.180

8°

Qualified to AEC-Q101 Standards for High

Reliability

Mechanical Data

•

Case: SOT-23

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0

Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over

Alloy 42 leadframe).

Pin Connections: See Diagram

Marking Information: See Page 4

Ordering Information: See Page 4

Approximate Weight: 0.008 grams

•

All Dimensions in mm

Marking Code (Note 2)

Type

Marking

1A, K1Q

Type

Marking

1G, K1M

BC846A

BC846B

BC847A

BC847B

BC847C

BC848A

BC848B

BC848C

1B, K1R

1J, K1J, K1E, K1Q

1K, K1K, K1F, K1R

1L, K1L, K1M

1E, K1E, K1Q

1F, K1F, K1R

Maximum Ratings @T_A= 25°C unless otherwise specified

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

BC846

BC847

BC848

V_CBO

BC846

BC847

BC848

V_CEO

6.0

5.0

BC846, BC847

BC848

V_EBO

Collector Current

I_C

I_CM

100

200

Peak Collector Current

Peak Emitter Current

Power Dissipation (Note 1)

I_EM

200

P_d

300

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

417

R_θJA

T_j, T_STG

-65 to +150

Notes:

1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout

document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.

2. Current gain subgroup “C” is not available for BC846.

3. No purposefully added lead.

DS11108 Rev. 21 - 2

1 of 4

BC846A-BC848C

www.diodes.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC847TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC847TRL	NXP	获取价格	100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC847TRL13	NXP	获取价格	100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC847TRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC847U	KODENSHI	获取价格	General purpose application
BC847U	AUK	获取价格	NPN Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC847UA	KODENSHI	获取价格	Transistor,
BC847UB	KODENSHI	获取价格	Transistor,
BC847UC	KODENSHI	获取价格	Transistor,
BC847UF	AUK	获取价格	NPN Silicon Transistor (General purpose application Switching application)

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