BC847S

更新时间： 2024-10-31 22:53:59

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管
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2页	74K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC847S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.76	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC847S 数据手册

BC846S ... BC848S

NPN

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Version 2004-04-09

Dimensions / Maße in mm

Power dissipation – Verlustleistung

310 mW

SOT-363

2^±0.1

6.5 6.5

Plastic case

Kunststoffgehäuse

0.9^±0.1

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Type

Code

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2.4

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

6 = C1 5 = B2 4 = E2

1 = E1 2 = B1 3 = C2

Maximum ratings (T_A= 25/C)

Grenzwerte (T_A= 25/C)

BC846S

65 V

BC847S

45 V

BC848S

30 V

Collector-Emitter-voltage

B open

E open

C open

V_CE0

V_CB0

V_EB0

P_tot

Collector-Base-voltage

80 V

50 V

30 V

Emitter-Base-voltage

6 V

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

310 mW ¹)

I_C

100 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

I_CM

I_BM

- I_EM

T_j

200 mA

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

200 mA

150/C

T_S

- 65…+ 150/C

Characteristics (T_j= 25/C)

Kennwerte (T_j= 25/C)

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

V_CE= 5 V, I_C= 10 :A

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

h_FE

typ. 90 ... 270

110 ... 800

h-Parameters at V_CE= 5V, I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

Kleinsignal-Stromverstärkung

h_fe

typ. 220 ... 600

Input impedance – Eingangs-Impedanz

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_ie

1.6 ... 15 kS

18 ...110 :S

h_oe

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 ... 3 *10^-4

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 :s, Schaltverhältnis # 2%

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BC847S 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PUMX1,115	NXP	功能相似	PUMX1 - 40 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor TSSOP 6-Pin
UMZ1NT1G	ONSEMI	功能相似	Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor
BC847S	FAIRCHILD	功能相似	NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier

与BC847S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC847S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC847S-A	FS	获取价格	General Purpose Transistors
BC847S-B	FS	获取价格	General Purpose Transistors
BC847S-C	FS	获取价格	General Purpose Transistors
BC847SE6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
BC847SE6327BTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
BC847SE6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
BC847SE6327XT	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
BC847SE6433	ROCHESTER	获取价格	100mA, 45V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC847SH6327XTSA1	INFINEON	获取价格	暂无描述

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