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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-76 |
| 包装说明： | R-PDSO-G2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 3.82 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 9 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 0.25 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 250 V | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BAV21WS | EIC |
功能相似  |
SMALL SIGNAL DIODES |
|
| HSU83 | HITACHI |
功能相似 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS321,115 | NXP |
获取价格 |
BAS321 - General purpose diode SOD 2-Pin |
|
| BAS321,135 | ETC |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 |
|
| BAS321.115 | NXP |
获取价格 |
BAS321 General purpose diode |
|
| BAS321/8F | ETC |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 |
|
| BAS321/8X | ETC |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 |
|
| BAS321_04 | NXP |
获取价格 |
General purpose diode |
|
| BAS321J | NEXPERIA |
获取价格 |
High-voltage switching diodeProduction |
|
| BAS321JF | ETC |
获取价格 |
BAS321J/SOD323/SOD2 |
|
| BAS321J-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
High-voltage switching diodeProduction |
|
| BAS321JX | ETC |
获取价格 |
BAS321J/SOD323/SOD2 |
|
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