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BAV21WS

更新时间： 2024-02-17 03:42:13

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EIC		信号二极管
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2页	37K
描述
SMALL SIGNAL DIODES

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BAV21WS 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.58	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	250 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BAV21WS 数据手册

SMALL SIGNAL DIODES

BAV19WS ~ BAV21WS

SOD-323

PRV : 100 Volts

Io : 250 mA

0.012 (0.3)

FEATURES :

* Silicon Epitaxial Planar Diode

* For General Purpose

* Pb / RoHS Free

0.059 (1.5)

0.043 (1.1)

MECHANICAL DATA :

* Case : SOD-323 plastic Case

min. 0.010 (0.25)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

V_R

BAV19WS BAV20WS BAV21WS

Unit

Reverse Voltage

100

120

150

200

V_RM

Peak Reverse Voltage

250

Rectified Current (Average)

Half Wave Rectification with Resist. Load

at T_amb= 25 °C and f ³ 50 Hz

Surge Forward Current at t < 1 s and Tj = 25 °C

Power Dissipation at T_amb= 25 °C

Junction Temperature

I_F(AV)

250

I_FSM

P_tot

1.0

°C

200 ¹⁾

150

T_S

Storage Temperature Range

-65 to + 175

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Rating at Tj = 25 °C unless otherwise specified)

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Parameter

Symbol

I_F= 100 mA

V_F

Forward Voltage

Leakage Current

I_F= 200 mA

1.25

100

1.5

V_R= 100 V

BAV19WS

BAV20WS

BAV21WS

I_R

V_R= 150 V

V_R= 200 V

C_tot

Trr

V_F= V_R= 0 V

I_F= 30 mA, I_R= 30mA

Irr = 3 mA, R_L= 100W

Capacitance

Reverse Recovery Time

Note : 1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

Page 1 of 2

Rev. 03 : March 25, 2005

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