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BAS32L

更新时间： 2024-01-07 12:17:32

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1页	59K
描述
Small hermetically sealed glass SMD package High switching speed: max. 4 ns

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BAS32L 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LELF-R2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.21
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

BAS32L 数据手册

Product specification

BAS32L

LL-34

Unit: mm

Features

Small hermetically sealed glass SMD package

High switching speed: max. 4 ns

2.64REF

1.50

1.30

0.50

0.35

Continuous reverse voltage:max. 75 V

Repetitive peak reverse voltage:max. 75 V

Repetitive peak forward current:max. 450 mA.

3.60

3.30

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

continuous reverse voltage

Symbol

V^R

Rating

Unit

200

continuous forward current

I^F

repetitive peak forward current

I^FRM

450

non-repetitive peak forward current t = 1

I^FSM

t = 1 ms

t = 1 s

0.5

total power dissipation

P^D

R^{th j-tp}

R^{th j-a}

T^j

500

K/W

thermal resistance from junction to tie-point

thermal resistance from junction to ambient

junction temperature

300

350

200

storage temperature

T^stg

-65 to +200

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

V^F

Testconditons

Min.

620

Max

750

1000

930

Unit

I^F= 5 mA

I^F=100 mA

forward voltage

reverse current

I^F=100 mA;T^J=100

V^R= 20 V

V^R= 75 V

I^R

V^R= 20 V; T^j= 150

V^R= 75 V; T^j= 150

100

reverse breakdown voltage

diode capacitance

V^(BR)R

C^d

100

I^R= 100

f = 1 MHz; V^R=0V

when switched from I^F= 10 mA to I^R= 10 mA;

R^L= 100 ;measured at I^R= 1 mA

reverse recovery time

t^rr

forward recovery voltage

V^fr

when switched from I^F= 50 mA;t^r= 20 ns;

2.5

* Pulsed test: t^p= 300 ìs; ä = 0.02.

4008-318-123

http://www.twtysemi.com

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与BAS32L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS32L,115	ETC	获取价格	DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS
BAS32L,135	ETC	获取价格	DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD80
BAS32L/S	NXP	获取价格	DIODE 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BAS32L/T1	ETC	获取价格	DIODE SWITCHING
BAS32L/T3	NXP	获取价格	DIODE 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
BAS32L_05	NXP	获取价格	High-speed switching diode
BAS32L_08	NXP	获取价格	High-speed switching diode
BAS32L-T	NXP	获取价格	0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
BAS32LT/R	NXP	获取价格	DIODE 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
BAS32LTRL	YAGEO	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon