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BAS32L

更新时间： 2024-11-01 08:48:23

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美微科 - MCC		二极管开关
页数	文件大小	规格书
4页	443K
描述
High Speed Switching Diode

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BAS32L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.2
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	240	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAS32L 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

BAS32L

Micro Commercial Components

Features

High-Speed Switching and High Reverse Breakdown Voltage

High Speed

Moisture Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

Switching Diode

Mechanical Data

l Case: MiniMELF, Glass

l Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

l Polarity: Indicated by Cathode Band

MINIMELF

l Weight: 0.05 grams ( approx.)

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Cathode Band

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

V^RRM

V^R

Peak Repetitive Reverse Voltage

Continuous reverse Voltage

Continuous forward current

Repetitive peak Forward Current

I^F

200

450

I_FRM

Non-rep. Peak Forward Current

t=1 us

t=1 ms

t= 1 s

0.5

I^FSM

Power Dissipation

P_d

500

350

200

K/W

^oC

DIMENSION

Thermal Resistance(Note 2)

DIM

INCHES

NOTE

Operation/Storage Temp. Range Tj, T^STG

-65

MIN

MAX

.146

.016

.059

MIN

3.30

0.20

1.40

MAX

3.70

0.40

1.50

Electrical Characteristics @ 25^oC Unless Otherwise Specified

.130

.008

.055

Charateristic

Symbol Min Max Unit

Test Cond.

IR=100uA

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

Reverse Breakdown Volt. V(BR)R 100 -----

VR=20V

VR=75V

uA V_R=20V;T_j=150^oC

I^R

Reverse Current

Forward Voltage

-----

.165

V_R=75V;T_j=150^oC

100

I^F=5mA

I^F=100mA

I^F=100mA; Tj=100^oC

930 mV

620 750 mV

--- 1000 mV

---

V^F

.075

Junction Capacitance

t_rr

----- 2.0

pF VR=0V, f=1.0MHz

IF=IR=10mA

Reverse Recovery Time

-----

ns Irr=1mA

.030

R_L=100OHMS

Note: 1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 5.

2. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

3. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 4

12 3 4

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与BAS32L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS32L,115	ETC	获取价格	DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS
BAS32L,135	ETC	获取价格	DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD80
BAS32L/S	NXP	获取价格	DIODE 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BAS32L/T1	ETC	获取价格	DIODE SWITCHING
BAS32L/T3	NXP	获取价格	DIODE 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
BAS32L_05	NXP	获取价格	High-speed switching diode
BAS32L_08	NXP	获取价格	High-speed switching diode
BAS32L-T	NXP	获取价格	0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
BAS32LT/R	NXP	获取价格	DIODE 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
BAS32LTRL	YAGEO	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon

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