BAS35

更新时间： 2024-09-27 08:48:23

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管光电二极管 IOT
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Surface Mount Small Signal Dual Diodes

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BAS35 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.84 V
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	3 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	120 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAS35 数据手册

BAS31, BAS35

Surface Mount Small Signal Dual Diodes

Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2011-10-11

Power dissipation – Verlustleistung

Repetitive peak reverse voltage

350 mW

120 V

2.9^±0.1

1.1

Periodische Spitzensperrspannung

0.4

Plastic case

SOT-23

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Dimensions - Maße [mm]

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BAS31, BAS35

350 mW ²)

per diode / pro Diode

Power dissipation – Verlustleistung ¹)

P_tot

I_FAV

Max. average forward current (dc)

Dauergrenzstrom

200 mA ²)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

I_FRM

600 mA ²)

Non repetitive peak forward surge current

Stoßstrom-Grenzwert

t_p≤ 1 s

t_p≤ 1 µs

I_FSM

1 A

2 A

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM

120 V

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Forward voltage ³)

I_F= 10 mA

I_F= 50 mA

I_F= 100 mA

I_F= 200 mA

I_F= 400 mA

V_F

< 750 mV

< 840 mV

< 900 mV

< 1.00 V

< 1.25 V

Durchlass-Spannung ³)

Leakage current

Sperrstrom

T_j= 25°C

V_R= 90 V

I_R

< 100 nA

< 100 µA

T_j= 150°C V_R= 90 V

Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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