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BAS35,215

更新时间: 2024-02-03 22:55:11
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恩智浦 - NXP 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 75K
描述
BAS29; BAS31; BAS35 - General purpose controlled avalanche (double) diodes TO-236 3-Pin

BAS35,215 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-236包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:7.4Is Samacsys:N
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:3 A元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.25 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:110 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.05 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

BAS35,215 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS29; BAS31; BAS35  
General purpose controlled  
avalanche (double) diodes  
Product data sheet  
2003 Mar 20  
Supersedes data of 2001 Oct 10  

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