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BAS35L99Z

更新时间: 2024-01-22 07:25:20
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德州仪器 - TI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 19K
描述
90V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB

BAS35L99Z 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.68Is Samacsys:N
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:90 V
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

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