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BAS35TRL13

更新时间: 2024-02-05 18:49:01
品牌 Logo 应用领域
国巨 - YAGEO 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 104K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon

BAS35TRL13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.68
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.9 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:2
端子数量:3最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAS35TRL13 数据手册

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