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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.27 |
| 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 3 A |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 0.25 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 110 V | 最大反向电流： | 0.1 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS35T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal |
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| BAS35T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 0.25A, 90V V(RRM) |
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| BAS35TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon |
|
| BAS35TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon |
|
| BAS381 | VISHAY |
获取价格 |
Schottky Barrier Diodes |
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| BAS381, BAS382, BAS383 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diodes |
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| BAS381_05 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diodes |
|
| BAS381_08 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diodes |
|
| BAS381_10 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diodes |
|
| BAS381_12 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diodes |
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