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BAS35T/R

更新时间: 2024-01-10 21:35:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
12页 92K
描述
DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode

BAS35T/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.68
Is Samacsys:N配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.9 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BAS35T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS29; BAS31; BAS35  
General purpose controlled  
avalanche (double) diodes  
1999 May 21  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Sep 10  
 

BAS35T/R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAS35,215 NXP

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