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BAS35 PDF预览

BAS35

更新时间： 2024-02-05 11:29:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管信号二极管光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
2页 31K
描述
Small Signal Diode

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BAS35 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.68
Is Samacsys：N配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.9 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：2端子数量：3
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

BAS35 数据手册

 浏览型号BAS35的Datasheet PDF文件第2页 
BAS35  
Connection Diagram  
3
3
3
L22  
2
1
2
1
2
1
SOT-23  
Small Signal Diode  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
120  
200  
V
Average Rectified Forward Current  
mA  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 second  
1.0  
2.0  
A
A
Pulse Width = 1.0 microsecond  
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
150  
°C  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
350  
357  
mW  
RθJA  
°C/W  
Electrical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted  
Test Conditions  
Min  
Symbol  
Parameter  
Max  
Units  
VR  
VF  
Breakdown Voltage  
V
IR = 1.0 mA  
120  
Forward Voltage  
IF = 10 mA  
IF = 50 mA  
IF = 100 mA  
IF = 200 mA  
IF = 400 mA  
VR = 90 V  
750  
840  
900  
1.0  
1.25  
100  
100  
35  
mV  
mV  
mV  
V
V
IR  
Reverse Current  
nA  
µA  
pF  
VR = 90 V, TA = 150°C  
CT  
trr  
Total Capacitance  
VR = 0, f = 1.0 MHz  
Reverse Recovery Time  
IF = IR = 10 mA, IRR = 1.0 mA,  
50  
ns  
RL = 100 Ω  
BAS35, Rev. C  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12

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BAS35 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 BAS29; BAS31; BAS35 - General purpose controlled avalanche (double) diodes TO-236 3-Pin
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 		暂无描述
BAS35235 NXP

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 		DIODE 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BAS-3595-AE ADVANTECH

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