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BAS35 PDF预览

BAS35

更新时间： 2023-09-03 20:33:18
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI IOT光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 234K
描述
通用高电压二极管

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BAS35 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.68
Is Samacsys：N配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.9 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：2端子数量：3
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

BAS35 数据手册

 浏览型号BAS35的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAS35的Datasheet PDF文件第3页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Small Signal Diode  
BAS35  
3
2
1
SOT−23  
CASE 318BM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings Unit  
MARKING DIAGRAM  
V
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
120  
200  
1.0  
V
mA  
A
RRM  
3
I
F(AV)  
L22M  
I
Non−Repetitive Pulse Width = 1.0 second  
FSM  
Peak Forward  
Surge Current  
Pulse Width = 1.0 microsecond  
2.0  
1
2
T
Storage Temperature Range  
−55 to  
°C  
°C  
L22 = Specific Device Code  
= Date Code  
STG  
+150  
M
T
J
Operating Junction Temperature  
150  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
CONNECTION DIAGRAM  
3
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2. These are steady−state limits. The factory should be consulted on  
applications involving pulsed or low− duty−cycle operations.  
1
2
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings Unit  
ORDERING INFORMATION  
P
D
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
350  
357  
°C/W  
†
R
Package  
Device  
Shipping  
q
JA  
SOT−23 3L  
(Pb−Free,  
BAS35  
3000 / Tape  
& Reel  
Halide Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Breakdown Voltage  
Conditions  
Min  
120  
−
Max  
−
Unit  
V
V
R
I = 1.0 mA  
R
V
F
Forward Voltage  
I = 10 mA  
F
750  
840  
900  
1.0  
1.25  
100  
100  
35  
mV  
mV  
mV  
V
I = 50 mA  
F
−
I = 100 mA  
F
−
I = 200 mA  
F
−
I = 400 mA  
F
−
V
I
R
Reverse Current  
V
R
V
R
V
R
= 90 V  
−
nA  
mA  
pF  
ns  
= 90 V, T = 150°C  
−
A
C
Total Capacitance  
= 0 , f = 1.0 MHz  
−
T
t
rr  
Reverse Recovery Time  
I = I = 10 mA, I = 1.0 mA, R = 100 W  
−
50  
F
R
RR  
L
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
June, 2023 − Rev. 4  
BAS35/D  
123

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BAS35 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HSM2836CTL-E RENESAS

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 0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

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