生命周期: | Active | 零件包装代码: | MELF |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 0.8 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | O-LELF-R2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 0.2 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 0.5 W |
参考标准: | IEC-60134 | 最大重复峰值反向电压: | 100 V |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | WRAP AROUND |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BAS32L/S | NXP | DIODE 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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BAS32L/T1 | ETC | DIODE SWITCHING |
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BAS32L/T3 | NXP | DIODE 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode |
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BAS32L_05 | NXP | High-speed switching diode |
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BAS32L_08 | NXP | High-speed switching diode |
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BAS32L-T | NXP | 0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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