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BAS32L,115

更新时间： 2024-02-26 01:53:31

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11页	720K
描述
DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS

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BAS32L,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	MELF	包装说明：	O-LELF-R2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	3.34	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	2 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向电流：	5 µA
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

BAS32L,115 数据手册

BAS32L

High-speed switching diode

Rev. 7 — 20 January 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Single high-speed switching diode, fabricated in planar technology, and encapsulated in a

small hermetically sealed glass SOD80C Surface-Mounted Device (SMD) package.

1.2 Features and benefits

High switching speed: t_rr≤ 4 ns

Reverse voltage: V_R≤ 75 V

Repetitive peak reverse voltage: V_RRM≤ 100 V

Repetitive peak forward current: I_FRM≤ 450 mA

Small hermetically sealed glass SMD package

1.3 Applications

High-speed switching

Reverse polarity protection

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

I_F

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

200

450

Unit

[1]

forward current

I_FRM

repetitive peak forward

current

V_R

V_F

t_rr

reverse voltage

forward voltage

I_F= 100 mA

1000

[2]

reverse recovery time

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard

footprint.

[2] When switched from I_F= 10 mA to I_R= 10 mA; R_L= 100 Ω; measured at I_R= 1 mA.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BAS32L_05	NXP	获取价格	High-speed switching diode
BAS32L_08	NXP	获取价格	High-speed switching diode
BAS32L-T	NXP	获取价格	0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
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