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BAS31S62Z

更新时间： 2024-11-01 19:54:27

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	29K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon

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BAS31S62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.65
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	120 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAS31S62Z 数据手册

BAS31

Connection Diagram

L21

SOT-23

Small Signal Diode

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

Maximum Repetitive Reverse Voltage

120

200

Average Rectified Forward Current

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

Pulse Width = 1.0 second

1.0

2.0

Pulse Width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

-55 to +150

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

150

°C

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

350

357

R_θJA

°C/W

Electrical Characteristics T_A= 25°C unless otherwise noted

Test Conditions

Min

Symbol

Parameter

Max

Units

V_R

V_F

Breakdown Voltage

I_R= 1.0 mA

120

Forward Voltage

I_F= 10 mA

I_F= 50 mA

I_F= 100 mA

I_F= 200 mA

I_F= 400 mA

V_R= 90 V

750

840

900

1.0

1.25

100

I_R

Reverse Current

µA

V_R= 90 V, T_A= 150°C

C_T

t_rr

Total Capacitance

V_R= 0, f = 1.0 MHz

Reverse Recovery Time

I_F= I_R= 30 mA, I_RR= 3.0 mA,

R = 100

Ω

BAS31, Rev.

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

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与BAS31S62Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS31-T	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal
BAS31T/R	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal
BAS31T/R	PHILIPS	获取价格	Rectifier Diode, 0.25A, 90V V(RRM)
BAS31TRL	YAGEO	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, Silicon
BAS31TRL13	YAGEO	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, Silicon
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BAS321	NEXPERIA	获取价格	General purpose diodeProduction
BAS321	YANGJIE	获取价格	SOD-323
BAS321	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.2A,200V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes
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