5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.84 V |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 3 A |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 0.25 A |
| 最大重复峰值反向电压： | 90 V | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS31TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, Silicon |
|
| BAS31TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, Silicon |
|
| BAS321 | NXP |
获取价格 |
General purpose diode |
|
| BAS321 | NEXPERIA |
获取价格 |
General purpose diodeProduction |
|
| BAS321 | YANGJIE |
获取价格 |
SOD-323 |
|
| BAS321 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
0.2A,200V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes |
|
| BAS321,115 | NXP |
获取价格 |
BAS321 - General purpose diode SOD 2-Pin |
|
| BAS321,135 | ETC |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 |
|
| BAS321.115 | NXP |
获取价格 |
BAS321 General purpose diode |
|
| BAS321/8F | ETC |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
