Datasheet > BAS31T/R

BAS31T/R

更新时间： 2024-11-01 20:39:27

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	75K
描述
DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAS31T/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.29	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.25 V	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	3 A	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	110 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.05 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

book, halfpage

M3D088

BAS29; BAS31; BAS35

General purpose controlled

avalanche (double) diodes

Product data sheet

2003 Mar 20

Supersedes data of 2001 Oct 10

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAS31,215	NXP	类似代替	BAS29; BAS31; BAS35 - General purpose controlled avalanche (double) diodes TO-236 3-Pin
BAS31	DIOTEC	类似代替	Surface Mount Small Signal Dual Diodes

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS31TRL	YAGEO	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, Silicon
BAS31TRL13	YAGEO	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, Silicon
BAS321	NXP	获取价格	General purpose diode
BAS321	NEXPERIA	获取价格	General purpose diodeProduction
BAS321	YANGJIE	获取价格	SOD-323
BAS321	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.2A,200V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes
BAS321,115	NXP	获取价格	BAS321 - General purpose diode SOD 2-Pin
BAS321,135	ETC	获取价格	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
BAS321.115	NXP	获取价格	BAS321 General purpose diode
BAS321/8F	ETC	获取价格	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323