BAS31

更新时间： 2024-01-06 06:03:47

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管光电二极管
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2页	128K
描述
Surface Mount Small Signal Dual Diodes

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BAS31 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.18
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.9 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAS31 数据手册

BAS31, BAS35

Surface Mount Small Signal Dual Diodes

Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2011-10-11

Power dissipation – Verlustleistung

Repetitive peak reverse voltage

350 mW

120 V

2.9^±0.1

1.1

Periodische Spitzensperrspannung

0.4

Plastic case

SOT-23

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Dimensions - Maße [mm]

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BAS31, BAS35

350 mW ²)

per diode / pro Diode

Power dissipation – Verlustleistung ¹)

P_tot

I_FAV

Max. average forward current (dc)

Dauergrenzstrom

200 mA ²)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

I_FRM

600 mA ²)

Non repetitive peak forward surge current

Stoßstrom-Grenzwert

t_p≤ 1 s

t_p≤ 1 µs

I_FSM

1 A

2 A

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM

120 V

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Forward voltage ³)

I_F= 10 mA

I_F= 50 mA

I_F= 100 mA

I_F= 200 mA

I_F= 400 mA

V_F

< 750 mV

< 840 mV

< 900 mV

< 1.00 V

< 1.25 V

Durchlass-Spannung ³)

Leakage current

Sperrstrom

T_j= 25°C

V_R= 90 V

I_R

< 100 nA

< 100 µA

T_j= 150°C V_R= 90 V

Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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BAS31 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAS31T/R	NXP	类似代替	DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal
BAS31	FAIRCHILD	功能相似	High Voltage General Purpose Diode

与BAS31相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS31,215	NXP	获取价格	BAS29; BAS31; BAS35 - General purpose controlled avalanche (double) diodes TO-236 3-Pin
BAS31,235	NXP	获取价格	BAS29; BAS31; BAS35 - General purpose controlled avalanche (double) diodes TO-236 3-Pin
BAS31/T3	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal
BAS31_1	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Diode
BAS31_D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN
BAS31-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
BAS31212	NXP	获取价格	DIODE 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BAS316	LGE	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diodes
BAS316	TYSEMI	获取价格	Very small plastic SMD package, High switching speed: max. 4 ns
BAS316	SECOS	获取价格	Surface Mount Switching Diode

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