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BAS316

更新时间: 2024-11-02 11:15:23
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安世 - NEXPERIA /
页数 文件大小 规格书
10页 196K
描述
High-speed switching diodeProduction

BAS316 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SC-76, 2 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.27Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.25 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified参考标准:AEC-Q101; IEC-60134
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向电流:1 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

BAS316 数据手册

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BAS316  
High-speed switching diode  
1 July 2022  
Product data sheet  
1. General description  
High-speed switching diode, encapsulated in a small SOD323 (SC-76) Surface-Mounted Device  
(SMD) plastic package.  
2. Features and benefits  
High switching speed: trr ≤ 4 ns  
Low capacitance  
Low leakage current  
Reverse voltage: VR ≤ 100 V  
Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 100 V  
3. Applications  
High-speed switching  
General-purpose switching  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
100  
0.5  
4
Unit  
V
VR  
IR  
reverse voltage  
reverse current  
Tj = 25 °C  
-
-
-
-
-
-
VR = 80 V; Tj = 25 °C  
µA  
ns  
trr  
reverse recovery time IF = 10 mA; IR = 10 mA; RL = 100 Ω;  
IR(meas) = 1 mA; Tamb = 25 °C  
 
 
 
 

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