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BAS316

更新时间： 2024-02-14 01:12:15

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SECOS		二极管开关
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3页	242K
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Surface Mount Switching Diode

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BAS316 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOD
包装说明：	SC-76, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.43
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.4 W	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30

BAS316 数据手册

BAS316

Surface Mount Switching Diode

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free

SOD-323(SC-76)

.012 (0.3)

Cathode Band

FEATURES

Top View

Dimensions in inches

and (millimeters)

.059 (1.5)

.043 (1.1)

MARKING: A6

Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T_A=25℃

Parameter

DC reverse voltage

Symbol

V_R

Limits

100

Unit

Forward current

I_F

250

℃

Total Device Dissipation

Junction and storage temperature

P_D

400

T_j,T_stg

-65-+150

Electrical Ratings @T_A=25℃

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

I_R=100uA

I_F=1mA

Reverse breakdown voltage

Forward voltage

V_(BR)R

V_F1

V_F2

V_F3

V_F4

t_rr

100

715

855

1000

1250

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=150mA

Reverse recovery Time

Reverse current

I_F=I_R=10mAdc,R_L=100Ω

V_R=25V

I_R1

0.03

μA

I_R2

V_R=75V

V_FR

C_D

1.75

1.5

I_F=10mA, t_r= 20ns

V_R=0V,f=1MHZ

Forward recovery voltage

Diode Capacitance

http://www.SeCoSGmbH.com

Any changing of specification will not be informed individual

12-Jul-2007 Rev. B

Page 1 of 3

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