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BAS31,235

更新时间: 2024-12-01 20:39:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 75K
描述
BAS29; BAS31; BAS35 - General purpose controlled avalanche (double) diodes TO-236 3-Pin

BAS31,235 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-236包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:7.3配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.25 VJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:3 A
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.25 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:110 V最大反向电流:0.1 µA
最大反向恢复时间:0.05 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

BAS31,235 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS29; BAS31; BAS35  
General purpose controlled  
avalanche (double) diodes  
Product data sheet  
2003 Mar 20  
Supersedes data of 2001 Oct 10  

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