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BAS31,235

更新时间： 2024-11-01 20:39:27

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	75K
描述
BAS29; BAS31; BAS35 - General purpose controlled avalanche (double) diodes TO-236 3-Pin

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BAS31,235 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-236	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	7.3	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.25 V	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	3 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	110 V	最大反向电流：	0.1 µA
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

book, halfpage

M3D088

BAS29; BAS31; BAS35

General purpose controlled

avalanche (double) diodes

Product data sheet

2003 Mar 20

Supersedes data of 2001 Oct 10

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAS31,215	NXP	类似代替	BAS29; BAS31; BAS35 - General purpose controlled avalanche (double) diodes TO-236 3-Pin
BAS31	NXP	功能相似	General purpose controlled avalanche double diodes

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS31/T3	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal
BAS31_1	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Diode
BAS31_D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN
BAS31-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
BAS31212	NXP	获取价格	DIODE 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BAS316	LGE	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diodes
BAS316	TYSEMI	获取价格	Very small plastic SMD package, High switching speed: max. 4 ns
BAS316	SECOS	获取价格	Surface Mount Switching Diode
BAS316	MCC	获取价格	High Speed Switching Diode 400mW
BAS316	TSC	获取价格	200mW High Voltage SMD Switching Diode