生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-236 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 1.05 | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 0.25 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
最大功率耗散: | 0.25 W | 参考标准: | IEC-60134 |
最大重复峰值反向电压: | 110 V | 最大反向恢复时间: | 0.05 µs |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BAS31,215 | NXP |
类似代替 |
BAS29; BAS31; BAS35 - General purpose controlled avalanche (double) diodes TO-236 3-Pin | |
BAS31 | NXP |
功能相似 |
General purpose controlled avalanche double diodes |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAS31/T3 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal | |
BAS31_1 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Diode | |
BAS31_D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN | |
BAS31-13 | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 | |
BAS31212 | NXP |
获取价格 |
DIODE 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | |
BAS316 | LGE |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diodes | |
BAS316 | TYSEMI |
获取价格 |
Very small plastic SMD package, High switching speed: max. 4 ns | |
BAS316 | SECOS |
获取价格 |
Surface Mount Switching Diode | |
BAS316 | MCC |
获取价格 |
High Speed Switching Diode 400mW | |
BAS316 | TSC |
获取价格 |
200mW High Voltage SMD Switching Diode |