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BAS316

更新时间： 2024-06-27 12:14:12

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描述
BAS316 \| SOD-323 400mW SMD Switching Diode

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BAS316 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOD
包装说明：	SC-76, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.43
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.4 W	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30

BAS316 数据手册

Switching Diodes

400mW SOD-323

BAS316

FEATURE



Power Dissipation: 400mW

100V Peak Reverse Voltage

250mA Average Forward Current

Fast Switching Speed

Low Leakage Current

Low Capacitance

MECHANICAL DATA



Case: SOD-323, Molded Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD, Method 2026

Polarity: Color Band Denotes Cathode End

MAXIMUM RATING

Parameter

Symbol

Value

100

250

4.0

Units

Reverse Voltage

V_R

Peak Reverse Voltage

V_RM

I_F(AV)

Maximum Average Forward Current

tp=0.001ms

tp=1ms

Non-Repetitive Peak Forward Current

1.0

I_FSM

at T_J(init)=25˚C

tp=1s

0.5

500

I_FRM

P_D

Repetitive Peak Forward Current tp≦0.5ms; D≦0.25

Power Dissipation

400

Maximum Junction Capacitance at 1MHz and V_R=0V

C_J

1.5

R_ϴJA

R_ϴJC

T_J, T_STG

500

°C/W

°C

Typical Thermal Resistance

200

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Test Condition

Symbol

V_F

Min

Typ

Max

0.715

0.855

1.000

1.250

0.03

0.50

Units

I_F=1mA

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=150mA

V_R=25V

V_R=100V

Forward Voltage

µA

Reverse Current

I_R

Maximum Reverse Recovery Time

T_RR

Note:

1. T_A= 25°C unless otherwise specified.

2. Mounted on aluminum plate.

3. Mounted on a FR4, single-sided copper, with 114x76mm PCB.

4. Test Condition: I_F=10mA to I_R=10mA, Recovery to 1mA, R_L=100Ω.

Rev. 9a 02/18/19

Meritek Electronics Corporation | www.meritekusa.com

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