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BAS316

更新时间： 2024-01-18 22:59:49

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科信 - KEXIN		二极管
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1页	38K
描述
High-Speed Diode

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BAS316 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOD
包装说明：	SC-76, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.43
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.4 W	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30

BAS316 数据手册

SMD Type

Diodes

High-Speed Diode

KAS316^(BAS316)

SOD-323

Unit: mm

Features

+0.1

1.7

-0.1

+0.05

0.85

-0.05

Very small plastic SMD package

High switching speed: max. 4 ns

Continuous reverse voltage:max. 75 V

Repetitive peak reverse voltage:max. 85 V

Repetitive peak forward current:max. 500 mA.

+0.1

2.6

-0.1

1.0max

0.475

0.375

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Symbol

Rating

Unit

repetitive peak reverse voltage

continuous reverse voltage

continuous forward current

repetitive peak forward current

VRRM

250

500

IFRM

IFSM

non-repetitive peak forward current

t = 1 ms

t = 1

0.5

t = 1 s

power dissipation

junction temperature

storage temperature

400

150

Tstg

-65 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

Typ

Max

715

855

Unit

IF = 1 mA

IF = 10 mA

IF = 50 mA

IF = 150 mA

VR = 25 V

VR = 75 V

Forwarad voltage

Leakage current

1.25

VR = 25 V; Tj = 150

VR = 75 V; Tj = 150

VR = 0, f = 1.0MHz

Junction Capacitance

reverse recovery time

trr

1.5

when switched from IF = 10 mA to IR = 10mA;

RL = 100 ; measured at IR = 1 mA

Marking

www.kexin.com.cn

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