生命周期: | Obsolete | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.29 | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散: | 0.25 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 110 V |
最大反向恢复时间: | 0.05 µs | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAS316 | LGE |
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Silicon Epitaxial Planar Diodes | |
BAS316 | TYSEMI |
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Very small plastic SMD package, High switching speed: max. 4 ns | |
BAS316 | SECOS |
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Surface Mount Switching Diode | |
BAS316 | MCC |
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High Speed Switching Diode 400mW | |
BAS316 | TSC |
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200mW High Voltage SMD Switching Diode | |
BAS316 | KEXIN |
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High-Speed Diode | |
BAS316 | NXP |
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High-speed diode | |
BAS316 | NEXPERIA |
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High-speed switching diodeProduction | |
BAS316 | CJ |
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SOD-323 | |
BAS316 | UTC |
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high-speed diode |