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BAS31212

更新时间: 2024-11-01 19:26:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
DIODE 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BAS31212 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.29配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:110 V
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BAS31212 数据手册

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