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BAS316

更新时间： 2024-01-26 00:22:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管开关
页数 文件大小 规格书
4页 386K
描述
High Speed Switching Diode 400mW

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BAS316 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOD
包装说明：SC-76, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：1.43
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.25 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.4 W最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30

BAS316 数据手册

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M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
BAS316  
Micro Commercial Components  
Features  
High Speed  
Switching Diode  
400mW  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
·
·
·
Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion  
High switching speed: max. 4ns  
Continuous reverse voltage: max. 100V  
·
·
Repetitive peak reverse voltage: max. 100V  
Repetitive peak forward current: max. 500mA  
SOD-323  
A
B
Mechanical Data  
.
·
Marking: A6  
C
E
·
Polarity: Indicated by Cathode Band  
Maximum Ratings @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
H
100  
DC Reverse Voltage  
VR  
D
Forward Current  
IF  
250  
mA  
mW  
℃
400  
Total Device Dissipation  
Junction and Storage temperature  
PD  
J
G
Tj，Pstg  
-65~+150  
DIMENSIONS  
MM  
Non-repetitive peak forward current  
DIM  
INCHES  
MIN  
NOTE  
4
1
IFSM  
t=1us  
t=1ms  
t=1s  
MAX  
.107  
.071  
.053  
.045  
.016  
.018  
.010  
.006  
MIN  
2.30  
1.60  
1.15  
0.80  
0.25  
0.10  
0.10  
-----  
MAX  
2.70  
1.80  
1.35  
1.15  
0.40  
0.45  
0.25  
0.15  
A
0.5  
A
B
C
D
E
G
H
J
.090  
.063  
.045  
.031  
.010  
.004  
.004  
-----  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Parameter  
Symbol Test Conditons MIN MAX UNIT  
100  
…
…
…
…
…
…
…
715  
855  
1000  
1250  
0.03  
1
V
Reverse breakdown voltage  
VBR  
IR=100uA  
IF=1mA  
IF=10mA  
IF=50mA  
IF=150mA  
VR=25V  
VR=75V  
VF  
Forward voltage  
mV  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
0.074"  
IR  
Reverse leakage current  
Reverse recovery time  
uA  
0.027”  
IF=IR=10mAdc,  
Trr  
…
…
4
ns  
RL=100Ω  
capacitance  
CD  
Diode  
1.5  
pF  
V =0V,f =1MHz  
R
0.022”  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: B  
2011/04/20  
1234

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BAS316 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1SS352(TPH3,F) TOSHIBA

功能相似

 DIODE 0.1 A, 85 V, SILICON, SIGNAL DIODE, USC, 1-1E1A, 2 PIN, Signal Diode

与BAS316相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS316,115 NXP

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 		BAS16 series - High-speed switching diodes SOD 2-Pin
BAS316,135 ETC

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 		DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
BAS316.115 NXP

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BAS316/DG/B3,115 ETC

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BAS316/DG/B3,135 ETC

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