5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRFR3504Z
AUIRFR3504Z PDF预览

AUIRFR3504Z

更新时间： 2024-11-20 11:47:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 269K
描述
HEXFET® Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

AUIRFR3504Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.68
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：77 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：42 A
最大漏极电流 (ID)：42 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：90 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：310 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AUIRFR3504Z 数据手册

 浏览型号AUIRFR3504Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AUIRFR3504Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AUIRFR3504Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AUIRFR3504Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AUIRFR3504Z的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AUIRFR3504Z的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 97492  
AUIRFR3504Z  
AUTOMOTIVE GRADE  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
Advanced Process Technology  
LowOn-Resistance  
D
S
V(BR)DSS  
40V  
9.0m  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
RDS(on) max.  
Ω
G
ID (Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
77A  
42A  
Description  
D
Specifically designed for Automotive applications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processingtechniquestoachieveextremelylowon-  
resistance per silicon area. Additional features of  
thisdesign area175°Cjunctionoperatingtempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive  
avalancherating.Thesefeaturescombinetomake  
thisdesignanextremelyefficientandreliabledevice  
foruseinAutomotiveapplicationsandawidevariety  
of other applications.  
S
G
D-Pak  
G
Gate  
D
S
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These  
are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in  
the specifications is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device  
reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions.  
Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Max.  
77  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
@ T = 100°C  
C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
54  
A
@ T = 25°C  
C
42  
310  
90  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
0.60  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS  
77  
110  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
EAS (tested )  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
IAR  
EAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case )  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.66  
40  
Units  
Junction-to-Case  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
04/12/2010  
1234567...13

中文翻译

下载PDF

AUIRFR3504Z 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR4104TRPBF INFINEON

功能相似

 Advanced Process Technology
IRFR4104PBF INFINEON

功能相似

 HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) =

与AUIRFR3504Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRFR3504ZTR INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR3504ZTRL INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR3504ZTRR INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR3607 INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
AUIRFR3607TRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
AUIRFR3710Z INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR3710ZTR INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR3710ZTRL INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR3710ZTRR INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR3806 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与AUIRFR3504Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证