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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | TO-247, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 55 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 274 ns | 标称接通时间 (ton)： | 41 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT32GU30BG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 |
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| APT32GU30K | ADPOW |
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POWER MOS 7 IGBT |
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| APT32GU30K | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AC, 3 PIN |
|
| APT32GU30KG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AC, 3 PIN |
|
| APT32M80J | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| APT33GF120B2RD | ADPOW |
获取价格 |
The Fast IGBT⑩ is a new generation of high vo |
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| APT33GF120B2RDQ2 | ADPOW |
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FAST IGBT & FRED |
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| APT33GF120B2RDQ2G | ADPOW |
获取价格 |
FAST IGBT & FRED |
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| APT33GF120BR | ADPOW |
获取价格 |
Fast IGBT |
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| APT33GF120BRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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