是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 1.44 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 64 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极发射器阈值电压最大值: | 6.5 V | 门极-发射极最大电压: | 30 V |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 357 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN SILVER COPPER | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 355 ns | 标称接通时间 (ton): | 31 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
APT33GF120B2RDQ2G | ADPOW | FAST IGBT & FRED |
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APT33GF120BR | ADPOW | Fast IGBT |
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APT33GF120BRG | MICROSEMI | Power Semiconductors Power Modules |
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APT33GF120HR | ADPOW | The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs |
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APT33GF120LRD | ADPOW | The Fast IGBT⑩ is a new generation of high vo |
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APT33GF120LRDQ2 | ADPOW | FAST IGBT & FRED |
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