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APT32GU30K

更新时间： 2024-01-15 10:05:34
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 196K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AC, 3 PIN

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APT32GU30K 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AC
包装说明：TO-220AC, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC)：55 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：274 ns
标称接通时间 (ton)：41 nsBase Number Matches：1

APT32GU30K 数据手册

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APT32GU30K  
300V  
®
POWER MOS 7 IGBT  
TO-220  
The POWER MOS 7® IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.  
Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,  
high voltage switching applications and has been optimized for high frequency  
switchmode power supplies.  
G
C
E
• Low Conduction Loss  
• Low Gate Charge  
• SSOA rated  
C
E
G
• Ultrafast Tail Current shutoff  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Parameter  
UNIT  
Symbol  
VCES  
VGE  
APT32GU30K  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
300  
±20  
±30  
Volts  
VGEM  
IC1  
Gate-Emitter Voltage Transient  
55  
32  
Continuous Collector Current @ TC = 25°C  
Amps  
IC2  
Continuous Collector Current @ TC = 100°C  
1
ICM  
120  
Pulsed Collector Current  
@ TC = 150°C  
SSOA  
PD  
Switching Safe Operating Area @ TJ = 150°C  
120A @ 300V  
250  
Watts  
°C  
Total Power Dissipation  
TJ,TSTG  
TL  
-55 to 150  
300  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
300  
3
TYP  
MAX  
UNIT  
BVCES  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 250µA)  
VGE(TH) Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 1mA, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 15A, Tj = 25°C)  
4.5  
1.5  
1.5  
6
Volts  
2.0  
VCE(ON)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 15A, Tj = 125°C)  
2
Collector Cut-off Current (VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 25°C)  
250  
2500  
±100  
ICES  
µA  
nA  
2
Collector Cut-off Current (VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 125°C)  
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)  
IGES  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
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