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APT10SCD65K PDF预览

APT10SCD65K

更新时间： 2024-02-09 00:00:12
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 700K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 17A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC, TO-220, 2 PIN

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APT10SCD65K 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-T2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.23其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT, PD-CASE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON CARBIDE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.8 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：110 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：17 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大功率耗散：63 W最大重复峰值反向电压：650 V
最大反向电流：200 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

APT10SCD65K 数据手册

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APT10SCD65K  
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Junction-to-Case Thermal Resistance  
2.0  
°C/W  
oz  
RθJC  
WT  
0.07  
1.9  
Package Weight  
g
6.4  
0.7  
lb·in  
N·m  
Torque  
Maximum Mounting Torque  
Microsemiꢀreservesꢀtheꢀrightꢀtoꢀchange,ꢀwithoutꢀnotice,ꢀtheꢀspecificationsꢀandꢀinformationꢀcontainedꢀherein.  
TYPICAL PERFORMANCE CURVES  
2.5  
2.0  
D = 0.9  
0.7  
1.5  
0.5  
0.3  
Note:  
1.0  
0.5  
t
1
t
2
t
1
t
/
2
Duty Factor D =  
Peak T = P x Z  
0.1  
+ T  
C
J
DM  
θJC  
SINGLE PULSE  
0.05  
0
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
0.1  
1
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)  
FIGUREꢀ1.ꢀMAXIMUMꢀEFFECTIVEꢀTRANSIENTꢀTHERMALꢀIMPEDANCE,ꢀJUNCTION-TO-CASEꢀvs.ꢀPULSEꢀDURATION  
18  
20  
15  
10  
T
= -55°C  
= 25°C  
J
16  
14  
12  
10  
T
J
T
= 125°C  
J
8
T
= 150°C  
J
6
4
2
0
5
0
25  
50  
75  
Case Temperature (°C)  
FIGUREꢀ3,ꢀꢀMaximumꢀForwardꢀCurrentꢀvs.ꢀCaseꢀTemperature  
100  
125  
150  
0
1
2
3
4
V , ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)  
F
FIGUREꢀ2,ꢀꢀForwardꢀCurrentꢀvs.ꢀForwardꢀVoltage  
1234

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APT10SCD65K 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DHG10I1200PM IXYS

功能相似

 High Performance Fast Recovery Diode Low Loss and Soft Recovery Single Diode
LQA30T300 POWERINT

功能相似

 300 V, 30 A Q-Series Diode
QH12TZ600 POWERINT

类似代替

 600 V, 12 A H-Series PFC Diode

与APT10SCD65K相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT10SCD65KCT MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 17A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AB
APT10SCE120B MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 43A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,
APT10SCE170B MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 23A, 1700V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,
APT10SCE170D MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1700V V(RRM), Silicon Carbide, DIE-1
AP-T11 GRAYHILL

获取价格

 		Sealed against contamination when properly mounted
APT1101R2BFLL ADPOW

获取价格

 		POWER MOS 7 FREDFET
APT1101R2BFLL MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
APT1101R2SFLL MICROSEMI

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