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APT10SCD65KCT

更新时间： 2024-02-03 14:27:36

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	672K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 17A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AB, TO-220, 2 PIN

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APT10SCD65KCT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-220, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.24	其他特性：	HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT, PD-CASE
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON CARBIDE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.8 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	110 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	17 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大功率耗散：	63 W	最大重复峰值反向电压：	650 V
最大反向电流：	200 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

APT10SCD65KCT 数据手册

APT10SCD65KCT

650V 10A

(KCT)

Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode

PRODUCT APPLICATIONS

PRODUCT BENEFITS

• Higher Reliability Systems

PRODUCT FEATURES

• Zero Recovery Time (t

)

•ꢀ Anti-ParallelꢀDiode

-Switchmode Power Supply

-Inverters

• Minimizes or eliminates

snubber

• Popular TO-220 Package

• Low Forward Voltage

• Low Leakage Current

• Power Factor Correction (PFC)

1 - Anode 1

2 - Common Cathode

Back of Case -Cathode

3 - Anode 2

MAXIMUM RATINGS

All Ratings Per Leg: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Symbol Characteristic / Test Conditions

Ratings

Unit

Maximum D.C. Reverse Voltage

V_R

V_RRM

V_RWM

Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage

Maximum Working Peak Reverse Voltage

650

Volts

T_C= 25°C

I_F

Maximum D.C. Forward Current

T_C= 100°C

Amps

I_FRM

I_FSM

Repetitive Peak Forward Surge Current (T_J= 45°C, t_p= 10ms, Half Sine Wave)

Non-Repetitive Forward Surge Current (T_J= 25°C, t_p= 10ms, Half Sine)

110

T_C= 25°C

P_TOT

Power Dissipation

T_C= 110°C

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature for 10 Seconds

-55 to 150

300

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_F= 10A T_J= 25°C

I_F= 10A, T_J= 150°C

V_R= 650V T_J= 25°C

V_R= 650V, T_J= 150°C

1.5

2.0

1.8

V_F

Forward Voltage

Volts

200

I_RM

Q_c

Maximum Reverse Leakage Current

µA

125

Total Capactive Charge V_R= 300V, I_F= 10A, di/dt = -500A/µs, T_J= 25°C

Junction Capacitance V_R= 1V, T_J= 25°C, f = 1MHz

300

C_T

Junction Capacitance V_R= 100V, T_J= 25°C, f = 1MHz

Junction Capacitance V_R= 300V, T_J= 25°C, f = 1MHz

http://www.microsemi.com

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与APT10SCD65KCT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
APT10SCE120B	MICROSEMI	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 43A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,	获取价格
APT10SCE170B	MICROSEMI	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 23A, 1700V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,	获取价格
APT10SCE170D	MICROSEMI	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1700V V(RRM), Silicon Carbide, DIE-1	获取价格
AP-T11	GRAYHILL	Sealed against contamination when properly mounted	获取价格
APT1101R2BFLL	ADPOW	POWER MOS 7 FREDFET	获取价格
APT1101R2BFLL	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	获取价格

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