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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | ISOTOP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 110 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 415 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 3.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT110GL100JN | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 |
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| APT-114 | ABRACON |
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Datacom Transformer, LAN; 10 BASE-T; ETHERNET Application(s), 1CT:1.41CT |
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| APT-114T | ABRACON |
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Datacom Transformer, LAN; 10 BASE-T; ETHERNET Application(s), 1CT:1.41CT |
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| APT11F80B | MICROSEMI |
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N-Channel FREDFET |
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| APT11F80S | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
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| APT11GF120BRD | ETC |
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Volts:1200V VF/Vce(ON):3V ID(cont):11Amps|Fast IGBT Family |
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| APT11GF120BRD1 | ADPOW |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 |
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| APT11GF120BRD1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| APT11GF120BRDQ1 | ADPOW |
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FAST IGBT & FRED |
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| APT11GF120BRDQ1G | ADPOW |
获取价格 |
FAST IGBT & FRED |
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