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APT11GP60BDQB

更新时间： 2024-01-27 22:36:03

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ADPOW		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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POWER MOS 7 IGBT

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APT11GP60BDQB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	TO-263, D2PAK-3	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	41 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	187 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	108 ns	标称接通时间 (ton)：	14 ns
Base Number Matches：	1

APT11GP60BDQB 数据手册

APT11GP60BDQB

TYPICALPERFORMANCECURVES

600V

POWER MOS 7 IGBT

TO-247

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

high voltage switching applications and has been optimized for high frequency

switchmode power supplies.

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• SSOA rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

UNIT

Symbol

V_CES

V_GE

I_C1

APT11GP60BDQB

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

600

±20

Volts

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 100°C

Amps

I_CM

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

Total Power Dissipation

SSOA

P_D

45A @ 600V

187

Watts

°C

T_J,T_STGOperating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

600

TYP

MAX

UNIT

V_(BR)CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 250µA)

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 11A, T_j= 25°C)

4.5

2.2

2.1

Volts

2.7

V_CE(ON)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 11A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= V_CES, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

250

2500

±100

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= V_CES, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT11GP60BDQBG	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3
APT11GP60K	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT11GP60SA	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT11N80BC3	ADPOW	获取价格	Super Junction MOSFET
APT11N80BC3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT11N80GC3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
APT11N80GC3	ADPOW	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 800V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT11N80KC3	ADPOW	获取价格	Super Junction MOSFET
APT11N80KC3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
AP-T12	GRAYHILL	获取价格	Sealed against contamination when properly mounted

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