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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 1.49 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 470 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT11N80GC3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| APT11N80GC3 | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 800V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT11N80KC3 | ADPOW |
获取价格 |
Super Junction MOSFET |
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| APT11N80KC3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| AP-T12 | GRAYHILL |
获取价格 |
Sealed against contamination when properly mounted |
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| APT-120 | ABRACON |
获取价格 |
Datacom Transformer, LAN; 10 BASE-T; ETHERNET Application(s), 1:1 |
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| APT1201R2BFLL | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 FREDFET |
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| APT1201R2BFLLG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| APT1201R2BLL | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
|
| APT1201R2SFLL | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 FREDFET |
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