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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.6 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 30 V | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 156 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | PURE MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 161 ns | 标称接通时间 (ton)： | 12 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT11GF120BRD1 | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 |
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| APT11GF120BRD1 | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| APT11GF120BRDQ1 | ADPOW |
获取价格 |
FAST IGBT & FRED |
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| APT11GF120BRDQ1G | ADPOW |
获取价格 |
FAST IGBT & FRED |
|
| APT11GF120KR | ADPOW |
获取价格 |
FAST IGBT |
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| APT11GF120KRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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| APT11GP60BDQB | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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| APT11GP60BDQBG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 |
|
| APT11GP60K | ADPOW |
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POWER MOS 7 IGBT |
|
| APT11GP60SA | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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