APT11F80B

更新时间： 2024-02-13 13:45:33

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-Channel FREDFET

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APT11F80B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	524 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	46 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Pure Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT11F80B 数据手册

APT11F80B

APT11F80S

600V, 12A, 0.9Ω Max t ≤210ns

N-Channel FREDFET

POWER MOS 8^®is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power

MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been opti-

mized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced

D³PAK

t , soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high gain, and a

greatly reduced ratio of C /C result in excellent noise immunity and low switching

rss iss

APT11F80B

APT11F80S

loss. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure

help control di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling, even

when switching at very high frequency.

Single die FREDFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• ZVS phase shifted and other full bridge

• Fast switching with low EMI

• Half bridge

• Low t for high reliability

• PFC and other boost converter

• Buck converter

• Ultra low C

rss

for improved noise immunity

• Low gate charge

• Single and two switch forward

• Flyback

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

±30

524

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

337

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

0.37

Junction to Case Thermal Resistance

°C/W

°C

R_θCS

0.15

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

T_J,T_STG

-55

150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)

0.22

6.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Mounting Torque ( TO-247 Package), 6-32 or M3 screw

1.1

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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与APT11F80B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
APT11F80S	MICROSEMI	N-Channel FREDFET	获取价格
APT11GF120BRD	ETC	Volts:1200V VF/Vce(ON):3V ID(cont):11Amps\|Fast IGBT Family	获取价格
APT11GF120BRD1	ADPOW	Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3	获取价格
APT11GF120BRD1	MICROSEMI	Insulated Gate Bipolar Transistor	获取价格
APT11GF120BRDQ1	ADPOW	FAST IGBT & FRED	获取价格
APT11GF120BRDQ1G	ADPOW	FAST IGBT & FRED	获取价格

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