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APT10SCE170D

更新时间： 2024-02-08 20:00:02

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	456K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1700V V(RRM), Silicon Carbide, DIE-1

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APT10SCE170D 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	S-XUUC-N1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.76
其他特性：	HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON CARBIDE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	S-XUUC-N1
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	最大重复峰值反向电压：	1700 V
最大反向电流：	200 µA	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

APT10SCE170D 数据手册

APT10SCE170D

Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Die

PRODUCT APPLICATIONS

PRODUCT BENEFITS

Anode

• Higher Reliability Systems

• Minimizes or eliminates

snubber

• Anti-Parallel Diode

-Switchmode Power Supply

-Inverters

• Power Factor Correction (PFC)

PACKAGES

PRODUCT FEATURES

• Sawn on Tape

• Die Packs

• Zero Recovery Times (t

• Low Forward Current

• Low Leakage Current

)

1 - Cathode (back of die)

2 - Anode

MECHANICAL PARAMETERS

Parameter

Typ.

3.50 x 3.50

3.21 X 3.21

1.84 X 1.84

380 ± 10%

5.0

Unit

Die Size

Anode Pad Size

Anode Pad Opening

Thickness

Anode Metalization (AlCu)

Cathode Metalization (Ti/Ni/Ag)

Frontside Passivation

μm

1.14

Oxynitride

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Symbol Characteristic / Test Conditions

Ratings

Unit

Maximum DC Reverse Voltage

V_R

V_RRM

Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage

1700

Volts

V_RWM

I_F

Maximum Working Peak Reverse Voltage

Maximum DC Forward current (T_J= 175°C)

Operating and Storage Junction Temperature Range

Amps

°C

T_J, T_STG

-55 to 175

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

Min

Typ

1.5

3.0

Max

Unit

I_F= 10A T_J= 25°C

V_F

Forward Voltage

Volts

I_F= 10A, T_J= 175°C

V_R= 1700V T_J= 25°C

V_R= 1700V, T_J= 175°C

200

I_RM

Maximum Reverse Leakage Current

µA

100

895

Junction Capacitance V_R= 0V, T_J= 25°C, f = 1MHz

Junction Capacitance V_R= 300V, T_J= 25°C, f = 1MHz

Junction Capacitance V_R= 600V, T_J= 25°C, f = 1MHz

C_T

Microsemi reserves the right to change, without notice, the speciﬁcations and information contained herein.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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