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APT1101RBFLL

更新时间： 2024-01-17 04:34:32

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ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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POWER MOS 7 FREDFET

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APT1101RBFLL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	雪崩能效等级（Eas）：	1300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1100 V	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT1101RBFLL 数据手册

APT1101RBFLL

APT1101RSFLL

1100V 13A 1.000Ω

POWER MOS 7 FREDFET

D³PAK

TO-247

Power MOS 7^®is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching

losses are addressed with Power MOS 7^®by significantly lowering R_DS(ON)

and Q_g. Power MOS 7^®combines lower conduction and switching losses

along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's

patented metal gate structure.

• Lower Input Capacitance

• Lower Miller Capacitance

• Lower Gate Charge, Qg

• Increased Power Dissipation

• Easier To Drive

• TO-247 or Surface Mount D³PAK Package

•

FAST RECOVERY BODY DIODE

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT1101RBFLL_SFLL

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

1100

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

±30

±40

Watts

W/°C

403

P_D

3.23

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

1300

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Volts

Ohms

BV_DSS

R_DS(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

1100

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, 6.5A)

1.00

100

500

±100

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 1100V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 880V, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 1mA)

I_DSS

µA

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
APT1101RBFLLG	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1100V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
APT1101RSFLL	ADPOW	POWER MOS 7 FREDFET	获取价格
APT1101RSFLLG	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1100V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
APT11026JFLL	ADPOW	POWER MOS 7 FREDFET	获取价格
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APT11044B2FLLG	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格

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