是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | ISOTOP |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.76 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 3600 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 1100 V | 最大漏极电流 (ID): | 33 A |
最大漏源导通电阻: | 0.26 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X4 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 134 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
APT11044B2FLL | ADPOW | POWER MOS 7 FREDFET |
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APT11044B2FLLG | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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APT11044JFLL | ADPOW | POWER MOS 7 FREDFET |
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APT11044LFLL | ETC | Volts:1100V RDS(ON)0.44Ohms ID(cont):26Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
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APT11044LFLLG | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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APT11058B2FLL | ADPOW | POWER MOS 7 FREDFET |
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