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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PSFM-T2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT, PD-CASE | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON CARBIDE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.8 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T2 | 最大非重复峰值正向电流： | 50 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 23 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 最大功率耗散： | 214 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 1700 V | 最大反向电流： | 200 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| APT10SCE170D | MICROSEMI | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1700V V(RRM), Silicon Carbide, DIE-1 |
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| AP-T11 | GRAYHILL | Sealed against contamination when properly mounted |
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| APT1101R2BFLL | ADPOW | POWER MOS 7 FREDFET |
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| APT1101R2BFLL | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| APT1101R2SFLL | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| APT1101R2SFLL | ADPOW | POWER MOS 7 FREDFET |
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