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APT10SCE170B

更新时间： 2024-01-06 13:18:44
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 534K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 23A, 1700V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,

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APT10SCE170B 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.74
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT, PD-CASE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON CARBIDE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.8 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：23 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大功率耗散：214 W
最大重复峰值反向电压：1700 V最大反向电流：200 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

APT10SCE170B 数据手册

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TYPICAL PERFORMANCE CURVES  
APT10SCE170B  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
250  
200  
150  
100  
50  
175°C  
125°C  
75°C  
50  
0
25°C  
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
CASE TEMPERATURE (°C)  
Figureꢀ4.ꢀMaximumꢀPowerꢀDissipationꢀvs. Case Temperature  
V , REVERSE VOLTAGE (V)  
R
Figureꢀ5.ꢀReverseꢀLeakageꢀCurrentsꢀvs. Reverse Voltage  
160  
140  
120  
100  
80  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
60  
40  
20  
0
0
300  
600  
900  
1200 1500 1800  
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800  
V , REVERSE VOLTAGE (V)  
VR, REVERSE VOLTAGE (V)  
Figureꢀ6.ꢀReverseꢀRecoveryꢀChargeꢀvs. VR  
R
Figureꢀ7.ꢀꢀJunctionꢀCapacitanceꢀvs. Reverse Voltage  
TO-247 Package Outline  
4.69 (.185)  
5.31 (.209)  
15.49 (.610)  
16.26 (.640)  
1.49 (.059)  
2.49 (.098)  
5.38 (.212)  
6.20 (.244)  
6.15 (.242) BSC  
20.80 (.819)  
21.46 (.845)  
3.50 (.138)  
3.81 (.150)  
4.50 (.177) Max  
.
1.65 (.065)  
2.13 (.084)  
0.40 (.016)  
19.81 (.780)  
20.32 (.800)  
1.016(.040)  
1.01 (.040)  
1.40 (.055)  
Anode  
Cathode  
2.21 (.087)  
2.59 (.102)  
10.90 (.430) BSC  
Dimensions in Millimeters and (Inches)  
1234

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与APT10SCE170B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT10SCE170D MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1700V V(RRM), Silicon Carbide, DIE-1
AP-T11 GRAYHILL

获取价格

 		Sealed against contamination when properly mounted
APT1101R2BFLL ADPOW

获取价格

 		POWER MOS 7 FREDFET
APT1101R2BFLL MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
APT1101R2SFLL MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
APT1101R2SFLL ADPOW

获取价格

 		POWER MOS 7 FREDFET
APT1101RBFLL ADPOW

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 		POWER MOS 7 FREDFET
APT1101RBFLLG MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1100V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
APT1101RSFLL ADPOW

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