AP6679GH-HF

更新时间： 2024-09-15 12:26:35

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲驱动
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6页	222K
描述
Lower On-resistance, Simple Drive Requirement

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AP6679GH-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP6679GH-HF 数据手册

AP6679GH/J-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Lower On-resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-30V

9mΩ

-75A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Fast Switching Characteristic

▼ RoHS Compliant

Description

The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial

surface mount applications and suited for low voltage applications

such as DC/DC converters. The through-hole version (AP6679GJ) is

available for low-profile applications.

TO-252(H)

TO-251(J)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-30

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

-75

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V³

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

-50

-300

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.71

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

1.4

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)⁴

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

Rthj-a

62.5

110

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

200812304

12 3 4 5 6

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